在片测试相关论文
近年来,随着射频微波领域建模研究及仿真工具和技术的发展,国内关于虚拟数字化样机相关大型系统工程在雷达电子对抗及通信系统等领......
5G,也就是第五代移动通信技术,已经发展成当前通信领域的一个研究热点。随着5G技术的普及,无线通信技术朝着高功率、高频率方向不......
随着Ⅲ-Ⅴ族单片集成电路集成度逐渐向SOC演进,工作频率逐渐进入THz波段,半导体工艺即将突破20m,单片集成电路的在片测试技术已经......
提出了一种一体化晶圆级微波单片集成电路(MMIC)自动测试技术方案,对矢量网络分析仪主控接口进行深度开发,采用以工控机和矢量网络......
本文系统研究了AlGaN/GaN HEMT 器件采用SiN 介质钝化前后的电流崩塌效应。通过系统研究和优化SiN 介质薄膜钝化工艺，有效的抑制了......
采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的......
本文提出并搭建了一套可用于毫米波功放芯片(MMIC)功率测试的脉冲测量系统,对于未封装的裸片可实现在片测量;对于已经封装好的芯片......
文章从介绍VCSEL（垂直腔面发射激光器）基本结构出发，说明了VCSEL 的优异特性：易实现单模，易高速调制，波长可调，能在片测试，易封装，体积小，重......
在高速光探测器的实验研究过程中，高速性能测量是很重要的环节，尤其是在片测试技术对于深入研究器件性能、缩短研发时间以及降低成本......
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试 ,对参数进行统计分析 ,能判断成品率是否正常 ,并帮助找出影响成品......
去嵌技术能够用来对射频微波集成电路进行在片测试,本文对开路去嵌法以及开路短路去嵌法这两种去嵌技术进行介绍,进行了去嵌结果的......
研制了一种 T 型栅长为90 nm 的 InP 基 In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25 ......
微波单片集成电路(MMIC)在片测试技术是应用于MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术.MMIC在片测试探头是MMIC在片测试系统......
本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统，针对ＧａＡｓ高速集成电路－动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选。......
建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型．实验验证了相同频率时，信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正......
射频在片测试是获取射频器件电学特性参数的重要手段,是精确表征器件特性的基础。因此对校准方法的研究以及校准的误差分析是微波......
准确测量芯片的高频特性以改进设计和制造工艺,是发展高速和微波集成电路的重要条件之一。微波集成电路测试技术在当今集成电路产......
采用双平衡混频器和本振信号源,把3 mm频段的噪声信号下变频至噪声系数分析仪的频率范围内,配探针台作在片噪声系数测量。为了减小......
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原......
相控阵技术由于可以通过信号相加提高信噪比,并具有波束成形和波束扫描的功能,已经成为目前的研究热点。相控阵系统根据移相器所处......
本文介绍了用于射频微波集成电路在片测试的去嵌技术，包括开路去嵌法、开路短路去嵌法以及焊盘开路短路去嵌法，比较了常用的开路去嵌......
研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了......
<正>一、引言MEMS晶圆片测试是MEMS传感器产品整个工艺流程中必不可少的重要环节,MEMS在片测试系统就是为适应晶圆片测试的特殊需......
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大信号有源负载牵引测试系统是评估微波毫米波功率器件的非线性特性的重要手段。介绍谐波有源负载牵引测试的基本原理及其测试系统......
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够......
在现代低成本、低功耗CMOS全集成无线通信系统中片上集成变压器已经开始得到广泛应用。片上集成变压器在低压电路中可以提供无电压......
随着微波射频技术和工艺的快速发展,微电子产品的集成度不断提高,工作频率也在不断提高,越来越多的产品被应用于射频微波频段。在......
射频测试是射频集成电路生产的关键技术。针对全面性能测试的要求,提出了用于射频IC的直流在片测试系统和小信号S参数测试系统,并......
半导体工艺技术的进步促进了集成电路在小型化、低功耗、高输出功率和高集成度等方面的进步,对集成电路的测试技术和要求也不断提......
无线通信的迅猛发展激发了射频收发器设计的热潮。片上电感是高性能压控振荡器（VCO）、低噪声放大器和无源滤波器等集成电路模块的重......
随着深亚微米CMOS工艺的不断发展,器件特征尺寸不断减小,MOSFET器件的截止频率也越来越高,已经超过了100GHz,在市场上已经有越来越......
准确地测量微波集成电路及高速器件的高频特性,是微波集成电路与器件发展的重要条件。传统的测试方法是把芯片封装后放在测试盒中......
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSM......
针对微波在片测试项目多、参数复杂、数据处理灵活性大的特点,开发了工艺控制微波数据处理软件,但该软件存在离散数据剔除难的问题......
本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术.设计研制出的多种微波探针性能参数稳定，使用寿命在十万次以上，用于在片检测......
